產品介紹：多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統、

IL-50多艙體式PEVCD/ETCH系統

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統具有沉積薄膜在光電池上的能力，提供精密的鍍膜性能。在不破壞真空的情況下，可以最大沉積四種薄膜。

? 裝載互鎖式（Load Lock）多腔體等離子系統? 晶圓料盒至晶圓料盒式(Cassette-Cassette processing)等離子處理? 破壞真空的情況下最多可沉積四種薄膜? 基片尺寸：125 x 125mm,156 x 156mm 及200mm直徑基片（可采用裝載器處理小尺寸基片）.? 常規薄膜：SiOx & SiNx - a- Si? 研發、試制生產及生產制造? 反應離子刻蝕（RIE）真空處理艙可供選配? 全電腦控制系統? 真空處理艙采用模塊化設計，并與200mm空隙閥連接。多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統描述

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統包括一個中央控制模塊，內置機器人真空艙室。多腔體模塊包括中央真空艙、晶圓片處理機器人、工藝處理艙四個結構，每個接口配備閘閥。中央真空艙室配置一個真空接口及真空計。中央控制模塊內最多可安裝4套等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）或反應離子刻蝕（RIE）工藝處理真空艙。這些真空處理艙體通過寬角閥隔離。等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）或反應離子刻蝕（RIE）工藝處理真空艙針對具體應用而設計制造，并且每個艙體配備獨立的真空泵浦系統、工藝氣體控制、加熱/冷卻系統、壓力 、工藝氣體噴頭及其它特定工藝需要的系統配置。晶圓料盒至晶圓料盒式模塊用于晶圓片的裝載導入及卸載導出。模塊在真空環境下工作，通過閘閥與系統控制模塊隔離。單個系統中最多可集成兩套晶圓料盒至晶圓料盒式模塊。

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統應用

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統用于在太陽能電池晶圓片上沉積鍍膜或是蝕刻。單層或多層可以處理。預蝕刻功能也可提供。

最多十二塊晶圓片可以裝載導入傳送晶圓片料盒，并且置于晶圓片料盒傳送模塊中。晶圓片通過機器手移至處理模塊中以便特定工藝處理，薄膜沉積或是蝕刻。薄膜沉積或蝕刻工藝完畢以后，晶圓片移至另外一個艙內進行進一步的處理或是導入晶圓片料盒裝載/卸載模塊。

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統技術規格

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統包括最多四個處理艙室，一個晶圓片傳送艙及一個裝載/卸載平臺

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統 晶圓片傳送艙

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統的晶圓片傳送艙由優質鋁材建造，配備四個處理艙及晶圓片料盒裝載/卸載平臺的200mm接口。 鉸接連桿式機器人用于晶圓片從料盒導入晶圓片處理系統，然后進入處理艙，最后返回。IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統晶圓片料盒傳送平臺

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統配備一套晶圓片料盒傳送平臺。該平臺采用鋁合金建造。金屬材質的晶圓片料盒載入平臺，然后導入晶圓片傳送艙。

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統的處理艙室

IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統的處理艙采用模塊化設計，并且通過一個200mm閘閥連接至晶圓片傳送模塊。該處理艙采用鋁合金制造，包括加熱/冷卻臺，通過特殊處理套件經行溫度控制。獨立式真空計、每個艙室配備氣體控制系統。處理艙采用平板式電極設計。上部電極配備工藝氣體噴頭，用于均勻的工藝氣體介入。IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統的等離子電源每套獨立的處理艙室配備獨立的1200W@13.56MHz射頻電源。每套處理艙室配備強耦合射頻匹配網絡系統。IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統的工藝處理真空泵浦系統

根據不同工藝處理需要，不同真空泵浦系統可以按需提供，真空泵浦包括機械式真空泵、干式真空泵、渦輪增壓真空泵及鼓風機套件。每個處理艙室具備獨立式真空泵浦設置，而晶圓片傳送艙室采用另外一個獨立的真空泵浦系統。IL-50多艙體式等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統的整套電腦控制系統

控制系統采用先進的控制系統，使用下拉格式的專用程序菜單。這些程序菜單提供多步驟設置，通過整體工藝序列進行控制。工藝步驟也可存儲以便日后使用。操作系統提供整體式工藝控制。

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