產品介紹：感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積、深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）、



BM8-III 感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統

高性能深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）等離子處理系統



BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統是一款全新定義深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫低損傷 等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）等離子處理新概念的等離子處理系統。

該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統基于模塊化設計制造，采用一款通用的真空處理艙及機柜。等離子處理系統采用感應耦合等離子（ICP）電極及底部沉積電極模塊化設計理念，方便整體感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統的組裝及配置。

該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統帶給用戶方便操作，提供多種等離子處理工藝、方便維護及性價比高的系統比業內其它感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統更具競爭力。



感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統主要性能簡介

等離子工藝處理的研發需要多功能且可靠的等離子處理設備。為了滿足等離子研究日新月異的要求，用戶選購的系統設備滿足最大范圍的等離子工藝參數需要、工藝驗證需要極其高的可重復性、必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-III感應耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統滿足這些非常苛刻的要求。

BM8-III是一款用于研究、工藝開發及其小批量生產的感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統工具，用于最大八英寸（203mm）基片的精密等離子刻蝕及沉積。該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統也可以容納處理多塊晶圓片。

在設計BM8-III感應耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統之初，主導指示就是創造一款融合高質量、可靠、重復性及其用于生產系統的工藝控制能力為一體的等離子系統；同時極大的降低主機成本、維護成本及占地面積小等要求。

BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統具有獨特的機體結構和電極設計，方便安裝在層流模塊中或是超凈間。感應耦合等離子（ICP）處理系統的建造采用高質量認可的部件、模塊化裝配、