BY4741?酵母感受態(tài)細(xì)胞
產(chǎn)品名稱： BY4741?酵母感受態(tài)細(xì)胞
英文名稱： BY4741?酵母感受態(tài)細(xì)胞
產(chǎn)品編號(hào)： MCC0201
產(chǎn)品價(jià)格： null
產(chǎn)品產(chǎn)地： null
品牌商標(biāo)： null
更新時(shí)間： 2024-02-27T15:18:19
使用范圍： null
- 聯(lián)系人 : 趙經(jīng)理
- 地址 : 光谷國(guó)際B座1513
- 郵編 :
- 所在區(qū)域 : 湖北省
- 電話 : 158****4543 點(diǎn)擊查看
- 傳真 : 點(diǎn)擊查看
- 郵箱 : 2633787800@qq.com
- 二維碼 : 點(diǎn)擊查看
BY4741 酵母感受態(tài)細(xì)胞
|
產(chǎn)品編號(hào) |
產(chǎn)品名稱 |
規(guī)格 |
|
MCC0201 |
BY4741 酵母感受態(tài)細(xì)胞 |
100μl*10 |
|
Carrier DNA |
5ug/μl；100 μl /-20℃ |
|
|
PEG/LiAc |
5 ml /4℃ |
保存條件：-80℃。
1.產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
BY4741菌株來(lái)源于釀酒酵母原始菌株—S288C，是實(shí)驗(yàn)室的常用菌株，為配子MATa型，廣泛應(yīng)用于鈉，鉀離子平衡；細(xì)胞抗鹽；各種金屬離子的吸收；重金屬毒性；各種糖類，碳源對(duì)真核生物細(xì)胞生長(zhǎng)的影響；過(guò)氧化物，超氧化物的吸收與運(yùn)輸?shù)难芯恐小Y4741釀酒酵母為組氨酸、亮氨酸、甲硫氨酸 、尿嘧啶缺陷型菌株，可直接通過(guò)PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進(jìn)入BY4741細(xì)胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標(biāo)志為URA，可用SD-URA板板進(jìn)行篩選。BY4741感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作，pYES2質(zhì)粒檢測(cè)轉(zhuǎn)化效率>103 cfu/ug DNA。
基因型：MATa his3Δ1 leu2 met15Δura3-5
2.使用說(shuō)明：
1).取一支無(wú)菌的1.5ml EP管，依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒1-3μg, .Carrier DNA 10μl(95-100℃ 5min快速冰浴，重復(fù)一次)，100μl冰.上融化的BY4741感受態(tài)細(xì)胞，PEG/LiAc 500ul， 輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次;
2).30℃ 水浴30min，每10min輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次;
3).每支加入20ul的二甲基亞砜; (用于提高轉(zhuǎn)化效率，可不做)
4).42℃水浴15min，每5min輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6- 8次;
5).12000rpm瞬時(shí)離心棄上清,每支加入1m1的YPD Plus于30℃復(fù)蘇1h; (用于提高轉(zhuǎn)化效率,可不做)
6).12000rpm瞬時(shí)離心棄上清，用100ul 0.9% NaCl 重懸，涂板,30℃培養(yǎng)48 - 96h。
3.注意事項(xiàng)：
1).感受態(tài)細(xì)胞最好在冰上融化, PEG溶液在低溫環(huán)境下會(huì)析出，請(qǐng)于常溫下完全溶解后使用。
2).轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。
3).同時(shí)轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。
4).BY4741酵母菌株對(duì)高溫敏感，最適生長(zhǎng)溫度為27-30℃;高于31℃，生長(zhǎng)速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
5).菌落變粉不是污染，是酵母細(xì)胞生長(zhǎng)中一個(gè)常見(jiàn)現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后，平板上的Adenine被酵母消耗完畢，酵母試圖通過(guò)自身代謝途徑合成Adenine以供利用，然而，有些菌株的ADE2基因被破壞，Adenine合 成途徑受阻;又由于其.ADE4,5, 6, 7, 8基因均正常，所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylaminomidazole (AIR) 在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。
6).酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長(zhǎng)速度比YPDA培養(yǎng)基慢，培養(yǎng)基中缺陷成分越多，生長(zhǎng)越慢，以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃，48h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1mm克隆;涂SD單缺平板29℃，48- 60h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑lmm克隆，涂SD雙缺平板29℃，60- 80h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1mm克隆，涂SD三缺或四缺平板平板29℃，80-90h培 養(yǎng)可見(jiàn)直徑lmm克隆。
*本試劑僅供實(shí)驗(yàn)室研究使用